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专业代理无线充电接收端芯片CV8010技术支持
品牌：劲芯微型号：CV8010速度：300Mbps天线：双天线覆盖范围：300米电压：110VV功率：5W4.5~8V：5详细介绍高集成度，内置高效同步整流、电池充电管理电流倒灌保护，静态功耗 0.1uA 智能手表、智能手环、耳机,、眼镜、其他智能穿戴式设备功能描述：符合WPC Qi 1.1.2标准，FOD （异物检测）高集成度，内置高效同步整流、LD
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2019-07-07 |
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PE4025KC 40V/N+P TO252-4L/适用电机驱动
品牌：SEMIONE型号：PE4025KC类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N+P导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：P-FET硅P沟道工作电压：40V工作电流：16ARDS：18毫欧PE4025KC 40V/N+P TO252-4L/适用电机驱动,大量现货供应！AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-
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2019-07-05 |
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供应芯片CV90325B 劲芯微 适用于无线充上
品牌：劲芯微型号：CV90325B速度：其他天线：单天线覆盖范围：300米电压：110VV功率：5W芯片20v：5cv90325 / cv90325b是一个支持WPC1.2.3标准和三星快充的无线充电发射器SoC芯片。cv90325/cv90325b内置高速MCU，12bits高精度ADC，高速PWM逆变电路以及解码算法。多通道高速PWM可调频率、脉宽调整方式，达到了能量的精确传递
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2019-06-21 |
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DMT32M5LFG替代AON7418/ 7428/ 7520
品牌：DIODES型号：DMT32M5LFG类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：100ARDS：1.7MRDMT32M5LFG替代AON7418/ 7428/ 7520,应用于电子烟，快充 ，大量现货供应，价格有优势。AM4437P可完全替代AO4407AM50N0
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2019-06-19 |
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茂钿MT19N10 100V/15.6A N管 T0-252封装
品牌：茂钿/MT型号：MT19N10类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：耗尽型适合频率：低频材质：GE-N-FET锗N沟道工作电压：100V工作电流：15.6A加工定制：否茂钿MT19N10 100V/15.6A N管 TO-263封装 全新原装，货源稳定，价格优势 深圳市尚联芯科技有限公司专业代理MOS管品牌：国外：Aos/
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2019-06-18 |
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AM30P06-45D-T1-PF 可完全替代AOD409
品牌：Anlogpower型号：AM30P06-45D-T1-PF沟道类型：P型沟道导电方式：增强型 AM2339P-T1-PF 30V/3.9A完全可替代AO3401 AnalogPower代理商Analog power（美商亚柏）于2001年成立于美国硅谷，专注于MOS管已经15年了，提供全系列中低压MOSFET，提供全套MOSFET解决方案，也可根据客户要求定制。产品涵盖了常见的近20种封装
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2019-06-16 |
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茂钿MT1803 30V/60A N管 TO-252 贴片封装 全新原装
品牌：茂钿/MT型号：MT1803类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：耗尽型适合频率：低频材质：GE-N-FET锗N沟道工作电压：30V工作电流：60A加工定制：否茂钿MT1803 30V/60A N管 TO-252贴片封装 全新原装，货源稳定，价格优势 深圳市尚联芯科技有限公司专业代理MOS管品牌：国外：Aos/美
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2019-06-07 |
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供应PED3016GH 30V/150A/1.2mΩ DFN5*6 价格优势
品牌：中航微型号：PED3016GH类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30V工作电流：150A用途：同步整流、快充内阻：1.2mΩ沟槽：N封装：DFN5*6供应PED3016GH 30V/150A/1.2mΩ DFN5*6封装 完全替代AON6512、AON6504等物料，
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2019-06-05 |
新闻中心