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专业代理无线充电接收端芯片CV8022,技术支持
品牌:QFN型号:CV8022速度:300Mbps天线:双天线覆盖范围:100米电压:220VV功率:5W20V:5详细介绍高集成度,内置高效同步整流、电池充电管理电流倒灌保护,静态功耗 0.1uA  智能手表、智能手环、耳机,、眼镜、其他智能穿戴式设备功能描述:符合WPC Qi 1.1.2标准,FOD (异物检测)高集成度,内置高效同步整流、LDO稳压
2019-05-30
厂家供应DMC4029SK4:完全替代UD4803,DIODES强势推荐
品牌:DIODES型号:DMC4029SK4类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N+P导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:40V工作电流:8.3ARDS:24MRDMC4029SK4:完全替代UD4803,DIODES强势推荐​AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-45D-TI-PF可
2019-05-30
AM4599C:可完全替代AO4612/AO4611适用于无刷电机
品牌:Analogpower型号:AM4599C类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N+P导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:60V工作电流:7.8ARDS:35MRAM4599C:可完全替代AO4612/AO4611适用于无刷电机​AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-45D-
2019-05-16
AM50P03-09D:完美替代AOD403,大量现货供应
品牌:Analogpower型号:AM50P03-09D类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:30V工作电流:50ARDS:9MRAM50P03-09D:完美替代AOD403,大量现货供应。AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-45D-
2019-05-16
AM50N06-15D;可完美替代AOD442,大量现货供应
品牌:Analogpower型号:AM50N06-15D类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:60V工作电流:50ARDS:15MRAM50N06-15D可完全替代AOD442​AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-45D-TI-PF可完全
2019-05-16
AM30P06-45D:可完全替代AOD409,大量现货供应
品牌:Analogpower型号:AM30P06-45D类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:60V工作电流:30ARDS:45MRAM30P06-45D完全替代AOD409,大量现货供应。​AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全替代AOD442AM30P06-45
2019-04-17
DMP2003UPS替代AON6411,AON6403 电子烟强势
品牌:DIODES型号:DMP2003UPS类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:P型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:P-FET硅P沟道工作电压:-20V工作电流:-150ARDS:2.2毫欧DMP2003UPS替代AON6411,AON6403用在50-80W电子烟里面,电子烟强势!AM4437P可完全替代AO4407AM50N06-15D-TI-PF可完全
2019-04-02
SKSE100N10L替换AO4296, HGS085N10SL
品牌:中航微型号:SKSE100N10L类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:MES金属半导体工作电压:100V工作电流:13A内阻:7mR中航微SKSE100N10L,替换AO4296,Hunteck HGS085N10SL,NCE0116AS,威兆 VSO009N10MS等,应用QC3.0 快充,5V 3A ,9V 2.
2019-03-22